美光在日本广岛投 631 亿扩产，2028 年为英伟达等供芯片

投资金额创纪录

此次美光于日本广岛展开的扩建项目, 其总投资额度高达1.5万亿日元, 换算后大约等同于631亿元人民币, 这般规模是美光在海外所进行的单次投资额最大的一笔, 此情形突破了日本半导体行业的外资记录。针对此, 日本经济产业省给出了额度最高达5000亿日元的补贴, 该补贴数额占据总投资的三分之一, 淋漓尽致地展现出日本政府殷切吸引先进芯片制造的坚定决心。

在动工仪式上, 美光CEO梅赫罗特拉道出, 用于AI核心存储技术的第一片HBM生产晶圆于广岛问世。尤为突出的是, 他着重表明, 美国的技术气魄同日本精熟工艺相融合后, 所产出之产品乃至世界一流水平。此等表态, 既对日本制造能力予以了认可, 还隐晦地示意了广岛基地于美光全球布局里的核心位置。

专攻AI存储芯片

有着生产高带宽内存芯片也就是HBM这一核心任务的新建工厂, 那芯片是英伟达等AI巨头训练大模型时的必需品, 随着GPT和文心一言等模型参数急剧暴涨, 传统内存已没办法满足数据吞吐需要, HBM依靠堆堆叠技术达成了超高带宽。

美光预估新厂会于2028年正式投入生产。自项目启动直至量产耗费了四年光阴, 缘由是HBM生产工艺极为繁杂。其需把多个DRAM芯片进行垂直堆叠, 且借助硅通孔技术实现互联, 倘若任何一个环节的良率把控未达标准便会对最终性能造成影响。美光选定在广岛开展量产, 恰恰是看重了当地具备的成熟半导体精密制造经验。

日本政府全力支持

日本经济产业省此次拿出了实实在在的资金, 补贴的额度占据项目总投资的33%, 该比例在涉及外资的半导体项目里是极为少见的, 日本政府期望凭借补贴美光, 推动本土供应链实现升级, 使得东芝、索尼等企业也能够从中获取益处, 广岛当地政府还做出了提供税收减免以及用地优惠的承诺。

从战略的层面予以审视, 日本正将半导体列为作为国家经济安全的关键产业, 2023年日本已然成立了半导体战略推进议员联盟, 其目标在于在2027年之前达成2纳米芯片的量产, 美光的这笔投资刚好与日本的“芯片复兴”计划保持同频, 既填补上了HBM产品线的空白之处, 还助力日本于AI存储领域占据一定的位置。

广岛基地地位升级

美光广岛的那个工厂, 原本主要是生产DDR4这类普通内存的, 这次经过扩建之后, 将会完全转变成为HBM旗舰基地。这个工厂会新增超过3万平方米的无尘室面积, 并且会引入最先进的极紫外光刻设备。美光打算把全球HBM产能的六成集中到广岛, 而其他部分则分散在台岛以及新加坡。

特别被梅赫罗特拉提到的“美国魄力与日本工艺相遇”这句描述, 点明了广岛基地具有的特殊性, 美国团队承担着HBM架构设计工作, 日本团队负责制造工艺的优化事宜, 二者协作已然产出了多款关键产品, 像美光去年量产的HBM3E芯片, 其3D堆叠良率在行业中处于领先地位, 广岛工厂对此功劳显著。

英伟达成主要客户

HBM芯片由新厂生产, 其主要供应对象是英伟达, 当前英伟达的H100以及B200加速卡对大量HBM存在需求, 单块B200搭载了192GB的HBM3E内存, 美光预估到2028年全球HBM市场规模会超过300亿美元, 其中英伟达一家有可能占据60%的需求。

美光将工期压缩至极, 以此来匹配英伟达的交付节奏, 普通芯片厂扩建通常需5年, 美光却仅规划了4年时间, 广岛工厂还会采用自动化搬运系统以及AI调度软件, 进而把芯片制造周期缩短30%, 梅赫罗特拉着重表明, 此次扩建就是为确保英伟达2028年的新品能够按时发布。

竞争格局再生变数

美光此次展开大规模投资, 此举直接对三星以及SK海力士于HBM领域的垄断地位形成了冲击。过去的两年时间里, 三星和SK海力士近乎包揽了全球范围内的全部HBM订单, 然而美光所占的份额却不足10%。不过美光是依靠广岛新厂所具备的产能优势, 进而计划在2028年的时候把HBM市场份额提高到30%。

从中获利的还有日本半导体产业, 在广岛当地, 已经有20多家美光供应链企业聚集起来了, 其中涵盖东京电子、信越化学等，新厂投产后, 设备维护、物流运输等衍生需求还是会受其带动, 然而, 也有业内人士忧心, 如果英伟达往后转向自行研发内存, 美光的广岛计划或许会遭遇风险。

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