存储市场格局渐渐趋于稳定之后，三星电子最终把先前搁置起来的新一代半导体研发项目再度提上日程安排，此动作引起全行业的关注。自2023年起始，DRAM与HBM市场展开激烈的价格竞争，这使得三星电子不得不收紧非核心业务的研发预算。诸多布局了很长时间的下一代半导体前瞻项目，只能暂且搁置研发进度，优先确保存储核心业务的产能与竞争力处于稳定状态。一直到2026年的第一个季度，三星存贮业务的收入占比回升到了总营收的百分之五十二，在基本情况稳定之后，重新启动新业务进行投资的声音逐步在内部产生了影响。
DS事业部内部的最新商讨进展
核心商讨内容梳理
现今，三星电子的DS事业部于内部举办多轮研讨会议，确定下一代半导体项目的研发优先等级以及设施投资的排期安排。参与讨论协商的团队包含存储研发团队、化合物半导体事业部以及先进封装基板部门，各个部门均递交了近三年搁置阶段的技术迭代进展报告。相关信息已同步至核心的合作供应链企业，诸多设备商已收取三星发出的初步联络信函，确认后续合作的对接窗口。三星经由内部进行判断，得出当前存储器的基本竞争力已然恢复至合理水平，后续新业务方面，关键敲定的节点将会集中于2026年，且是该年的第三季度。
外部合作伙伴的对接节奏
三星同二十余家核心供应链企业分享了后续技术开发的基础信息，还分享了设施投资的基础信息，不同赛道的对接进度有明显差异，部分前期搁置时仍保持小幅度技术研发的项目，对接推进速度更快，设备采购的初步询价工作已启动，行业内不少与三星保持长期合作的企业，都预留了对应的产能空间等待三星的正式订单，以避免后续量产阶段出现供应链断档的问题。
第十代NAND闪存研发推进
V10项目的投资重启进度
有着代号为V10的项目，那是第十代400层NAND闪存项目，它已经重新进入到正式投资阶段了，在此之前，原本计划在2026年上半年启动产线建设的安排，曾经一度被推迟了。当下，三星正处于低温蚀刻设备供应商选择的最后阶段，低温蚀刻技术可以解决400层堆叠所带来的深层通道孔加工难题，能够保障存储单元之间的信号传输稳定起来。
配套核心技术的落地安排
V10闪存会采用晶圆间键合技术，V10闪存还会采用激光精密切割技术，以此尽可能减少加工过程当中产生的异物，进而降低对内部微电路的损伤。这些技术经过此前两年小范围实验室验证，其良率水平已经达到能够导入量产的标准，可有效提升新一代NAND的读写性能以及整体使用寿命。
氮化镓与碳化硅布局规划
化合物半导体产线改造进度
三星在2023年之前就已着手展开8英寸代工产线朝着化合物半导体方向的转型调整工作，仅仅是在搁置的那段时期内没有去开启新产线的扩建规划，当前相关团队已然与设备厂商探讨完毕SiC生产所需新增设备的具体规模情况，产线改造的前期准备各项工作均已全部达成。
量产节点的行业预期
依照业内合作方所透露的讯息，三星打算于2026年达成完备的SiC本土供应链构建，在2027年建成原型生产试点线路，于2028年正式开启规模化量产。氮化镓业务也同步着手推进研发成果落地，着重将目标对准快充、新能源汽车电子这类呈现快速增长态势的下游市场。
玻璃基板的引入节奏
供应链多元化布局动作
三星正与多家处于不同领域的基板制造企业进行联络，对不同厂商所提供的玻璃基板样品的性能参数以及质量稳定性予以比对，继而筛选出合乎要求的可进行长期合作的供应商。在之前搁置的那段期间，三星已然完成了多轮样品测试，当下着重推进供应链的多元化布局，以此避免因单一供应商而引发的交付风险。
技术适配的应用场景
玻璃基板于高密度互连以及高频信号传输方面具备显著优势，可适配后续AI芯片在先进封装时的核心需求，能够解决高阶芯片在封装进程里的信号延迟问题。三星后续会优先将玻璃基板引入面向英伟达等头部AI客户的高端芯片封装环节，进而逐步扩大使用规模。
低功耗内存模块扩产计划
当前生产交付现状
目前，三星正大规模为AI客户生产低功耗内存模块，该类产品功耗比传统DRAM低百分之三十五，更适配AI推理服务器运行需求，2026年第一季度，这类模块出货量同比提升百分之四十，下游客户订单需求一直处于供不应求状态。
后续供应量提升安排
三星有着这样的计划，在2026年的第三个季度，去完成那个具备低功耗特性的内存生产线的产能爬坡事宜，要把月产能提升至12万片晶圆这样的规模，以此来满足后续两年人工智能行业快速增长所带来的市场需求。与之相关的产线设备增补计划已然获得批准，在往后不会再出现之前所存在的订单交付延迟的问题。
你认为，三星重新启动的这些半导体赛道之中，哪一个项目会首先为其带来新的营收增长呢？
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